数据列表：IP(B,P)065N03L G

标准包装：500

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：OptiMOS??

包装：管件

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：50A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：6.5 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：23nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：2400pF @ 15V

功率 - 最大值：56W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：PG-TO220-3

其它名称：IPP065N03LGIPP065N03LGINIPP065N03LGXKIPP065N03LGXKSA1SP000254736SP000680818